SI1450DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1450DH-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 4 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.05 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI1450 |
SI1450DH-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1450DH-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOT363
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
VISHAY SC70-6
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1450DH-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|